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| 표준번호 | [폐지] TTAE.IE-176 | 구표준번호 | |
|---|---|---|---|
| 제개정일 | 2009-12-22 | 총페이지 | 12 |
| 한글표준명 | 압전체를 기본으로 제작된 반도체소자용 압전성 | ||
| 영문표준명 | Piezoelectricity for semiconductor devices based on piezoelectric materials | ||
| 한글내용요약 | 주요 내용으로는 압전성 이론, 압전 단결정에 적용되는 결정학, 파/진동 이론, 간단한 동일 정적 해법, 탄성/압전성/유전성 계수의 측정 방법 등이 있음 | ||
| 영문내용요약 | This standard prescribes linear theory of piezoelectricity, crystallography applied to piezoelectric crystals, wave and vibration theory, simple homogeneous static solutions, measurement of elastic, piezoelectric, and dielectric constants and so on. | ||
| 국제표준 | |||
| 관련파일 | TTAE.IE-176.zip | ||
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- CSMA/CD 접근법 및 물리계층 규격 3권 개정 4: 40 Gb/s 및 100 Gb/s 운용을 위한 MAC 파라미터, 물리계층 및 관리 파라미터 82절: Physical Coding Sublayer (PCS) for 64B/66B, type 40GBASE-R and 100GBASE-R(IEEE802.3ba-2010-Clause82)
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- CSMA/CD 접근법 및 물리계층 규격 3권 개정 4: 40 Gb/s 및 100 Gb/s 운용을 위한 MAC 파라미터, 물리계층 및 관리 파라미터 86절:물리매체종속 부계층,전송 매체, 40GBASE-SR4 및 100GBASE-SR10 형(IEEE 802.3ba-2010-Clause86)
