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Ç¥ÁعøÈ£ | TTAK.KO-10.0448 | ±¸Ç¥ÁعøÈ£ | |
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Á¦°³Á¤ÀÏ | 2010-12-23 | ÃÑÆäÀÌÁö | 0 |
ÇѱÛÇ¥Áظí | Á¤Àü¿ë·®Çü MEMS ¸¶ÀÌÅ©·ÎÆùÀÇ ¿þÀÌÆÛ »ó¿¡¼ ¿Àû º¯Çü Ư¼º Æò°¡ ¹æ¹ý | ||
¿µ¹®Ç¥Áظí | A characterization method for a thermal deformation on a wafer in a capacitive MEMS microphone | ||
Çѱ۳»¿ë¿ä¾à | Á¤Àü ¿ë·®Çü ¸â½º ¸¶ÀÌÅ©·ÎÆùÀº µÎ²²°¡ ¼ö um Á¤µµÀÌ°í ³ÐÀÌ°¡ ¼ö mm2ÀÎ ¾ãÀº Àü±ØÀ» ³»ÀåÇÏ°í °íÁ¤ Àü±Ø À§¿¡ ¼ö umÀÇ °£°ÝÀ» À¯ÁöÇÏ¿© ¶°ÀÖ´Â ±¸Á¶·Î ±¸¼ºµÇ¾î ÀÖ´Ù. ¿ÜºÎ À½¾ÐÀÌ ÀÌ·¯ÇÑ ¸âºê·¹Àο¡ °¡ÇØÁ³À» ¶§ ¾ãÀº ¸âºê·¹ÀÎÀº À½¾Ð¿¡ ¹ÝÀÀÇÏ¿© Á¤Àü ¿ë·®ÀÇ º¯È·®À» ¹ß»ýÇÏ°í À̸¦ Àü±âÀû ½ÅÈ£·Î º¯È¯ÇÏ¿© ÇØ´ç ½ÅÈ£¸¦ ¾ò°Ô µÈ´Ù. Á¤Àü ¿ë·®Çü ¸â½º ¸¶ÀÌÅ©·ÎÆùÀÇ °¡Àå Áß¿äÇÑ ºÎºÐ ÁßÀÇ Çϳª°¡ ¹Ù·Î À½¾ÐÀ» Àü±âÀû ½ÅÈ£·Î º¯È¯ÇØÁÖ´Â ¾ã°í ³ÐÀº ¸âºê·¹ÀÎÀÌ´Ù. ÀÌ·¯ÇÑ, ¸âºê·¹ÀÎÀº ¹Ì¼¼ÇÑ ¿ÜºÎ À½¾Ð¿¡ °í°¨µµ·Î ¹ÝÀÀÇϱâ À§Çؼ ´ëºÎºÐ µÎ²²°¡ ¾ã°í ÀÏÁ¤ °£°Ý ¶°ÀÖ´Â ±¸Á¶À̱⠶§¹®¿¡ ¿ÜºÎ °í¿ÂÀÇ ¿¿ø¿¡ ³ëÃâµÇ¸é ±× ÀÚü ±¸Á¶°¡ º¯ÇüµÉ ¼ö ÀÖ´Ù. ¸âºê·¹Àο¡¼ ¿Àû º¯ÇüÀÌ ¹ß»ýÇϸé Ãʱâ Á¤Àü ¿ë·®°ªµµ º¯ÈµÇ¾î ¿ÜºÎ ¿¿ø¿¡ ÀÇÇÑ ¿Àû º¯ÇüÀ» Á¤·®ÈÇÏ¿© ÃøÁ¤ ÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. º» Ç¥ÁØ¿¡¼´Â ÀÌ·¯ÇÑ ¿ÜºÎ ¿¿ø¿¡ ÀÇÇÑ ¿Àû º¯Çü Ư¼º Æò°¡¿¡ ´ëÇÑ ±âº» ±Ô°Ý ¹× ¼¼ºÎ ³»¿ë¿¡ ´ëÇÏ¿© Á¤ÀÇÇÏ°í ÀÖÀ¸¸ç, °¢°¢ÀÇ ±â´É°ú ¹°¸®ÀûÀÎ »ç¾ç¿¡ ´ëÇÏ¿© Á¤ÀÇÇÑ´Ù. ¶ÇÇÑ ±¹Á¦ Ç¥ÁØ ¹× ´Üü ±Ô°Ý µî°ú ȣȯ °¡´ÉÇϵµ·Ï Á¤ÀÇÇÏ¿© »óÈ£ ¿¬µ¿¼ºÀ» º¸ÀåÇÑ´Ù. | ||
¿µ¹®³»¿ë¿ä¾à | This standard specifies a basic standard of a characterization process for a thermal deformation on a wafer in a capacitive MEMS microphone at a thermal process. A thin membrane, which is exposed to a thermal energy through a substrate heated above 200oC in a high temperature thermal step, can be deformed. Also, this standard secures mutual linkages of international standards and group standards. | ||
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