| 표준종류 |
정보통신단체표준(TTAS) |
| 표준번호 |
TTAK.KO-10.0828
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구 표준번호 |
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| 제개정일 |
2015-12-16 |
총 페이지 |
25 |
| 한글 표준명 |
전력반도체 트랜지스터의 다이나믹 온-저항 측정 방법 |
| 영문 표준명 |
Measuring Method for Dynamic On-Resistance of Power Semiconductor Transistors |
| 한글 내용요약 |
본 표준의 주요 내용으로 표준 내에서 사용되는 용어를 정의하고 전력반도체 트랜지스터의 다이나믹 온-저항에 대한 측정 방법을 설명한다. 전력반도체 트랜지스터의 다이나믹 온-저항은 스위칭 손실과 밀접한 관계가 있는 것으로 본 표준은 전력반도체 트랜지스터 중에서 Si(Silicon, 실리콘) 기반의 전력반도체 트랜지스터에 국한하지 않고 GaN(Gallium Nitride, 질화갈륨) 및 SiC(Silicon Carbide, 실리콘 카바이드) 기반의 전력반도체 트랜지스터에도 적용이 가능하다. |
| 영문 내용요약 |
The standard includes the definition of the using terminologies and measuring parameters of the dynamic on-resistance of the power semiconductor transistors in order to compare performance with other power semiconductor transistors. It is also applicable to GaN and SiC-based power semiconductor transistors including Si-based power semiconductor transistors.
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| 관련 IPR 확약서 |
접수된 IPR 확약서 없음
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| 관련파일 |
 TTAK.KO-10.0828.pdf
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| 표준이력 |
| 표준명 |
표준번호 |
제개정일 |
구분 |
유효
여부 |
IPR
확약서 |
파일 |
| 전력반도체 트랜지스터의 다이나믹 온-저항 측정 방법 |
TTAK.KO-10.0828
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2015-12-16 |
제정
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유효
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없음
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| 표준유지보수이력 |
| 검토일자 |
검토결과 |
검토내용 |
| 2019-05-31 |
유지 |
추가 개정 및 변경 요구사항이 없으므로 유지함 |
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