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| 표준번호 | TTAK.KO-10.0828 | 구표준번호 | |
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| 제개정일 | 2015-12-16 | 총페이지 | 25 |
| 한글표준명 | 전력반도체 트랜지스터의 다이나믹 온-저항 측정 방법 | ||
| 영문표준명 | Measuring Method for Dynamic On-Resistance of Power Semiconductor Transistors | ||
| 한글내용요약 | 본 표준의 주요 내용으로 표준 내에서 사용되는 용어를 정의하고 전력반도체 트랜지스터의 다이나믹 온-저항에 대한 측정 방법을 설명한다. 전력반도체 트랜지스터의 다이나믹 온-저항은 스위칭 손실과 밀접한 관계가 있는 것으로 본 표준은 전력반도체 트랜지스터 중에서 Si(Silicon, 실리콘) 기반의 전력반도체 트랜지스터에 국한하지 않고 GaN(Gallium Nitride, 질화갈륨) 및 SiC(Silicon Carbide, 실리콘 카바이드) 기반의 전력반도체 트랜지스터에도 적용이 가능하다. | ||
| 영문내용요약 | The standard includes the definition of the using terminologies and measuring parameters of the dynamic on-resistance of the power semiconductor transistors in order to compare performance with other power semiconductor transistors. It is also applicable to GaN and SiC-based power semiconductor transistors including Si-based power semiconductor transistors. | ||
| 국제표준 | |||
| 관련파일 |
 TTAK.KO-10.0828.pdf
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