Ç¥ÁØÈ­ Âü¿©¾È³»

TTAÀÇ Ç¥ÁØÇöȲ

Ȩ > Ç¥ÁØÈ­ °³¿ä > TTAÀÇ Ç¥ÁØÇöȲ

Ç¥ÁعøÈ£ TTAK.KO-10.0448 ±¸Ç¥ÁعøÈ£
Á¦°³Á¤ÀÏ 2010-12-23 ÃÑÆäÀÌÁö 0
ÇѱÛÇ¥Áظí Á¤Àü¿ë·®Çü MEMS ¸¶ÀÌÅ©·ÎÆùÀÇ ¿þÀÌÆÛ »ó¿¡¼­ ¿­Àû º¯Çü Ư¼º Æò°¡ ¹æ¹ý
¿µ¹®Ç¥Áظí A characterization method for a thermal deformation on a wafer in a capacitive MEMS microphone
Çѱ۳»¿ë¿ä¾à Á¤Àü ¿ë·®Çü ¸â½º ¸¶ÀÌÅ©·ÎÆùÀº µÎ²²°¡ ¼ö um Á¤µµÀÌ°í ³ÐÀÌ°¡ ¼ö mm2ÀÎ ¾ãÀº Àü±ØÀ» ³»ÀåÇÏ°í °íÁ¤ Àü±Ø À§¿¡ ¼ö umÀÇ °£°ÝÀ» À¯ÁöÇÏ¿© ¶°ÀÖ´Â ±¸Á¶·Î ±¸¼ºµÇ¾î ÀÖ´Ù. ¿ÜºÎ À½¾ÐÀÌ ÀÌ·¯ÇÑ ¸âºê·¹Àο¡ °¡ÇØÁ³À» ¶§ ¾ãÀº ¸âºê·¹ÀÎÀº À½¾Ð¿¡ ¹ÝÀÀÇÏ¿© Á¤Àü ¿ë·®ÀÇ º¯È­·®À» ¹ß»ýÇÏ°í À̸¦ Àü±âÀû ½ÅÈ£·Î º¯È¯ÇÏ¿© ÇØ´ç ½ÅÈ£¸¦ ¾ò°Ô µÈ´Ù. Á¤Àü ¿ë·®Çü ¸â½º ¸¶ÀÌÅ©·ÎÆùÀÇ °¡Àå Áß¿äÇÑ ºÎºÐ ÁßÀÇ Çϳª°¡ ¹Ù·Î À½¾ÐÀ» Àü±âÀû ½ÅÈ£·Î º¯È¯ÇØÁÖ´Â ¾ã°í ³ÐÀº ¸âºê·¹ÀÎÀÌ´Ù. ÀÌ·¯ÇÑ, ¸âºê·¹ÀÎÀº ¹Ì¼¼ÇÑ ¿ÜºÎ À½¾Ð¿¡ °í°¨µµ·Î ¹ÝÀÀÇϱâ À§Çؼ­ ´ëºÎºÐ µÎ²²°¡ ¾ã°í ÀÏÁ¤ °£°Ý ¶°ÀÖ´Â ±¸Á¶À̱⠶§¹®¿¡ ¿ÜºÎ °í¿ÂÀÇ ¿­¿ø¿¡ ³ëÃâµÇ¸é ±× ÀÚü ±¸Á¶°¡ º¯ÇüµÉ ¼ö ÀÖ´Ù. ¸âºê·¹Àο¡¼­ ¿­Àû º¯ÇüÀÌ ¹ß»ýÇϸé Ãʱâ Á¤Àü ¿ë·®°ªµµ º¯È­µÇ¾î ¿ÜºÎ ¿­¿ø¿¡ ÀÇÇÑ ¿­Àû º¯ÇüÀ» Á¤·®È­ÇÏ¿© ÃøÁ¤ ÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. º» Ç¥ÁØ¿¡¼­´Â ÀÌ·¯ÇÑ ¿ÜºÎ ¿­¿ø¿¡ ÀÇÇÑ ¿­Àû º¯Çü Ư¼º Æò°¡¿¡ ´ëÇÑ ±âº» ±Ô°Ý ¹× ¼¼ºÎ ³»¿ë¿¡ ´ëÇÏ¿© Á¤ÀÇÇÏ°í ÀÖÀ¸¸ç, °¢°¢ÀÇ ±â´É°ú ¹°¸®ÀûÀÎ »ç¾ç¿¡ ´ëÇÏ¿© Á¤ÀÇÇÑ´Ù. ¶ÇÇÑ ±¹Á¦ Ç¥ÁØ ¹× ´Üü ±Ô°Ý µî°ú ȣȯ °¡´ÉÇϵµ·Ï Á¤ÀÇÇÏ¿© »óÈ£ ¿¬µ¿¼ºÀ» º¸ÀåÇÑ´Ù.
¿µ¹®³»¿ë¿ä¾à This standard specifies a basic standard of a characterization process for a thermal deformation on a wafer in a capacitive MEMS microphone at a thermal process. A thin membrane, which is exposed to a thermal energy through a substrate heated above 200oC in a high temperature thermal step, can be deformed. Also, this standard secures mutual linkages of international standards and group standards.
±¹Á¦Ç¥ÁØ
°ü·ÃÆÄÀÏ TTAK.KO-10.0448.zip TTAK.KO-10.0448.zip            

ÀÌÀü
´ÙÀ½