표준의 제정 에 관한 설명서 1. 일반사항    가. 제안표준명 게이트 올 어라운드 전계효과 트랜지스터의 전기적 특성 측정 방법    나. 제안목적 게이트 올 어라운드 전계효과 트랜지스터의 전기적 특성 측정 표준 방법제안    다. 추진경위 게이트 올 어라운드 전계효과 트랜지스터의 전기적 특성 측정 표준방법 필요    라. 적용범위 주 : 디스플레이 부 : TFT    마. 표준구현 제품        /서비스명         (회사명 및 서비스를         구체적으로 기재) 게이트 올 어라운드 전계효과 트랜지스터    바. 정보통신표준           분류체계 Architecture분류 대분류: 기반기술   소분류: 단말기술 ServiceDomain분류 대분류: 공통   소분류: SoC/IC카드    사. 표준도입시기 1년 이내     아. 표준활용 예상성과         (구체적으로 기재) 디스플레이    자. 표준(안) 작성시기 (착수)20250711 ~ (완료)20251201    차. 개정대상표준         (개정표준에 한함) 표준번호 : 제정일 :    카. 내용요약         (개정표준의 경우 개정내용         위주로 작성) 이 표준은 GAA FET 소자의 복잡한 3차원 구조에서 발생하는 고유한 전기적 특성을 측정하기 위하여 나노 스케일 정밀 측정 기술과 통계적 분석 방법을 결합한 포괄적인 측정 방법과 절차를 제시한다. 구체적으로는 GAA FET 소자의 표준적인 시편 준비 방법을 제시하고, 임계전압, 서브임계 기울기, 드레인 유도 배리어 저하(DIBL), 트랜스컨덕턴스, 누설전류, 용량 특성 등의 핵심 전기적 파라미터를 펄스 측정 및 고감도 전류 측정 기술을 활용하여 정밀하게 측정하는 방법을 포함한다. 또한 다층 나노시트 구조의 개별 층별 특성 분석, 온도 의존성 평가, 그리고 BTI, HCI, TDDB 등의 신뢰성 시험을 통한 장기 안정성 평가 방법을 제시하며, 이를 통해 얻어진 데이터를 통계적으로 분석하여 GAA FET 기술의 상용화에 필요한 정량적 성능 지표를 제공한다.    타. 제안 초안의 종류         (중복선택 가능)   국책과제    ((세부)사업명: 한국전자통신연구원 연구운영비지원, 과제명: 미래 디스플레이 집적소자/공정기술)   기타(TTA 단체표준)   2. 국외표준준용(인용) 여부    가. 준용(인용)구분 순수고유표준    나. 준용(인용)표준 - 주 준용표준 (기구명/표준번호) ,   제정일: - 부 준용표준 (복수표준준용 경우) ,   제정일:    다. 준용(인용) 내용 3. 시험인증 관련성    가. 시험표준의 필요성   Yes No    나. 시험표준 필요 사유          (법적 강제성 여부 등          구체적 기재)    다. 시험표준 대상          (제품/서비스명          구체적으로 기재)    라. 시험인증 대상 종류         (중복선택 가능)   해당사항없음      마. 시험표준 제정 현황         (본 표준에 시험방법         내용 포함 여부 등)   시험표준 없음   4. 국가표준 추진 여부 Yes No   (*국가 표준으로의 건의는 위 의견을 참고하여 표준화위원회에서 검토 후 그 여부를   정함) 5. 기타특기사항